LMC662CM プログラマブル IC チップ CMOS デュアル オペアンプ
programming ic chips
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LMC662 CMOSデュアルオペアンプ
概要
LMC662 CMOS デュアル オペアンプは、単一電源での動作に最適です。+5V～+15Vで動作し、グランドを含む同相入力範囲に加えて、レールツーレール出力スイングを備えています。過去に CMOS アンプを悩ませていた性能制限は、この設計では問題になりません。入力 VOS、ドリフト、広帯域ノイズ、および現実的な負荷 (2 kΩ および 600 Ω) への電圧利得はすべて、広く受け入れられているバイポーラ同等品と同等以上です。
このチップはナショナルの高度なダブルポリシリコンゲートCMOSプロセスで構築されています。これらと同じ機能を備えたクワッド CMOS オペアンプについては、LMC660 データシートを参照してください。
特徴
- レールツーレール出力スイング
- 2 kΩ および 600 Ω 負荷用に仕様化
- 高電圧ゲイン: 126 dB
- 低入力オフセット電圧: 3 mV
- 低オフセット電圧ドリフト: 1.3 μV/℃
- 超低入力バイアス電流: 2 fA
- 入力コモンモード範囲には V が含まれます−
- 動作範囲は+5V～+15V電源
- ISS = 400μA/アンプ;V+ から独立した
- 低歪み: 10 kHz で 0.01%
- スルーレート: 1.1 V/μs
- 拡張温度範囲 (-40˚C ～ +125˚C) で利用可能。自動車用途に最適
- 標準軍事図面仕様に利用可能
アプリケーション
- 高インピーダンスのバッファまたはプリアンプ
- 高精度の電流-電圧コンバータ
- 長期インテグレーター
- サンプルアンドホールド回路
- ピーク検出器
- 医療機器
- 産業用制御
- 車載センサー
絶対最大定格(注3)
軍事/航空宇宙指定のデバイスが必要な場合は、入手可能性と仕様について National Semiconductor 営業所/販売代理店にお問い合わせください。
差動入力電圧 ± 電源電圧
電源電圧 (V+−V−) 16V
Vへの出力短絡+(注12)
Vへの出力短絡−(注1)
リード温度（はんだ付け、10秒） 260℃
保管温度範囲 -65℃～+150℃
入出力ピンの電圧 (V+) +0.3V、(V−) −0.3V
出力ピンの電流 ±18 mA
入力ピンの電流 ±5 mA
電源ピンの電流 35 mA
許容損失(注2)
接合部温度 150℃
ESD耐量(注8) 1000V
動作定格(注3)
温度範囲
LMC662AMJ/883、LMC662AMD −55℃ ≤ TJ ≤ +125℃
LMC662AI −40℃ ≤ TJ ≤ +85℃
LMC662C 0℃ ≤ TJ ≤ +70℃
LMC662E −40℃ ≤ TJ ≤ +125℃
電源電圧範囲 4.75V ～ 15.5V
許容損失(注10)
熱抵抗（θJA）（注11）
8ピンセラミックDIP 100℃/W
8ピンモールドDIP 101℃/W
8ピンSO 165℃/W
8ピン側面ろう付けセラミックDIP 100˚C/W
注 1: 単一電源動作と分割電源動作の両方に適用されます。周囲温度が上昇した状態で短絡動作が継続したり、オペアンプが複数回短絡したりすると、最大許容接合部温度の 150 ℃を超える可能性があります。出力電流が長期間にわたって±30 mAを超えると、信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。
Note 2: 最大消費電力は、TJ(max)、θJA、および TA の関数です。任意の周囲温度における最大許容消費電力は、PD = (TJ(max) – TA)/θJA です。
注 3: 絶対最大定格は、それを超えるとデバイスに損傷が発生する可能性がある制限を示します。動作定格は、デバイスが機能することを意図した条件を示しますが、特定の性能限界を保証するものではありません。保証仕様および試験条件については「電気的特性」を参照してください。保証された仕様は、記載されているテスト条件にのみ適用されます。
注 4: 代表値は、最も可能性の高いパラメトリック基準を表します。制限はテストまたは相関関係によって保証されます。
Note 5: V+ = 15V、VCM = 7.5V、RL は 7.5V に接続。電源テストの場合、7.5V ≤ VO ≤ 11.5V。シンクテストの場合、2.5V ≤ VO ≤ 7.5V。
注 6: V+ = 15V。10Vステップ入力のボルテージフォロワとして接続します。指定された数値は、正と負のスルー レートの遅い方です。
注 7: 入力を参照。V+ = 15V および RL = 10 kΩ が V+/2 に接続されています。各アンプは 1 kHz で順番に励起され、VO = 13 VPP を生成します。
注 8: 人体モデル、100 pF と直列に 1.5 kΩ。
注 9: 軍用 RETS 電気試験仕様は、ご要望に応じて入手可能です。印刷時点では、LMC662AMJ/883 RETS 仕様は、この欄の太字の制限に完全に準拠しています。LMC662AMJ/883 は、標準軍事図面仕様に従って調達することもできます。
Note 10: 高温で動作させる場合、デバイスは熱抵抗 θJA (PD = (TJ–TA)/θJA) に基づいて定格を下げる必要があります。
注 11: すべての数値は、プリント基板に直接はんだ付けされたパッケージに適用されます。
Note 12: V+ が 13V を超える場合は、出力を V+ に接続しないでください。接続すると、信頼性に悪影響が及ぶ可能性があります。
接続図
株式公開（ホットセル）
| 部品番号 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| SPD04N80C3 | 7988 | 16歳以上 | TO-252 | |
| SPD06N80C3 | 15142 | 14歳以上 | TO-252 | |
| SPD18P06PG | 12458 | 10+ | TO-252 | |
| TLE42754D | 7816 | 14歳以上 | TO-252 | |
| RJP30H1 | 9188 | ルネサス | 16歳以上 | TO-252 |
| PQ12TZ51 | 8596 | シャープ | 16歳以上 | TO-252 |
| PQ20VZ51 | 8380 | シャープ | 14歳以上 | TO-252 |
| SM3119NSUC-TRG | 11116 | シノパワー | 14歳以上 | TO-252 |
| STD12NF06LT4 | 8146 | ST | 08+ | TO-252 |
| STD16NF06LT4 | 9324 | ST | 12歳以上 | TO-252 |
| STD30NF06LT4 | 12326 | ST | 16歳以上 | TO-252 |
| STD3NK90ZT4 | 13616 | ST | 11+ | TO-252 |
| STD3NM60T4 | 8294 | ST | 16歳以上 | TO-252 |
| STD4NK60ZT4 | 12568 | ST | 14歳以上 | TO-252 |
| STD60NF55LT4 | 6560 | ST | 06+ | TO-252 |
| STD85N3LH5 | 8330 | ST | 10+ | TO-252 |
| STGD6NC60HDT4 | 40844 | ST | 15歳以上 | TO-252 |
| STU2030PLS | 10724 | ST | 16歳以上 | TO-252 |
| T40560 | 4708 | ST | 16歳以上 | TO-252 |
| T405-600B | 16904 | ST | 16歳以上 | TO-252 |
| T410-600B | 16176 | ST | 16歳以上 | TO-252 |
| T435-600B-TR | 12368 | ST | 16歳以上 | TO-252 |
| T810-600B | 21520 | ST | 14歳以上 | TO-252 |
| TIP122CDT | 8850 | ST | 16歳以上 | TO-252 |
| PQ05SZ11 | 8812 | シャープ | 16歳以上 | TO-252 |
| SM3119NSUC-TRG | 11094 | シノパワー | 13歳以上 | TO-252 |
| STD1NK80ZT4 | 11050 | ST | 16歳以上 | TO-252 |
| STD4NK80ZT4 | 8312 | ST | 16歳以上 | TO-252 |
| STGD5NB120SZT4 | 11498 | ST | 10+ | TO-252 |
| T410-600B-TR | 8102 | ST | 08+ | TO-252 |
LMC6482IMX/NOPB Cmosの二重柵に柵入出力演算増幅器IC
DRV602PWRのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
OPA335AIDR 電子ICチップ 単一供給 CMOS 動作増幅器
OPA4228UAの一般目的のアンプ4回路14 SOIC 11 V/ΜSのスルー・レート
TL082CPの集積回路Chipjfetは演算増幅器の高いスルー・レートを入れた
TAS5162DKDR 新しい原産物
TL062CDR 新しい原産物
LM324N 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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LMC6482IMX/NOPB Cmosの二重柵に柵入出力演算増幅器IC |
CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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DRV602PWRのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
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OPA335AIDR 電子ICチップ 単一供給 CMOS 動作増幅器 |
Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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OPA4228UAの一般目的のアンプ4回路14 SOIC 11 V/ΜSのスルー・レート |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
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TL082CPの集積回路Chipjfetは演算増幅器の高いスルー・レートを入れた |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
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TAS5162DKDR 新しい原産物 |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
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TL062CDR 新しい原産物 |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
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LM324N 新しい原産物 |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
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