25LC512-I/SN プログラマブル IC チップ マイクロチップおよび集積回路
programming ic chips
,ic programmer circuit
株式公開（ホットセル）
| 部品番号 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| SMBJ5.0CA | 9000 | ビシェイ | 16歳以上 | DO-214AA |
| SMBJ5347BTR-T | 5000 | マイクロセミ | 15歳以上 | DO-214AA |
| SMBJ5V0A | 38000 | フェアチャイルド | 16歳以上 | DO-214AA |
| SMCJ22CA | 78000 | ビシェイ | 14歳以上 | DO-214AB |
| SMCJ64A | 84000 | ビシェイ | 14歳以上 | DO-214AB |
| SMD125F-2 | 98000 | タイコ | 16歳以上 | SMD |
| SMDJ20CA | 85000 | リテルヒューズ | 16歳以上 | DO-214AB |
| SMF05CT2G | 103000 | の上 | 13歳以上 | SOT-363 |
| SMF3.3TCT | 70000 | セムテック | 06+ | SOT-353 |
| SML-210MTT86 | 12000 | ローム | 11+ | SOD-323 |
| SML4739A-E3/61T | 32400 | ビシェイ | 14歳以上 | DO-214AC |
| SML4742A-E3/61T | 18000 | ビシェイ | 14歳以上 | DO-214AC |
| SMMBTA06LT1G | 9000 | の上 | 14歳以上 | SOT-23 |
| SMP1322-017LF | 23273 | スカイワークス | 16歳以上 | SOT-143 |
| SMS24T1G | 8592 | の上 | 14歳以上 | SOT-163 |
| SMS7630-001LF | 43000 | スカイワークス | 06+ | SOT-23 |
| SN608098 | 8510 | TI | 15歳以上 | QFN |
| SN65220DBVR | 10184 | TI | 16歳以上 | SOT23-6 |
| SN65EPT23DR | 7249 | TI | 10+ | SOP-8 |
| SN65HVD12DR | 3609 | TI | 16歳以上 | SOP-8 |
| SN65HVD1781DR | 5924 | TI | 15歳以上 | SOP-8 |
| SN65HVD3082EDR | 13917 | TI | 15歳以上 | SOP-8 |
| SN65HVD485EDR | 5175 | TI | 13歳以上 | SOP-8 |
| SN65HVD72DR | 7408 | TI | 16歳以上 | SOP-8 |
| SN65HVD75DR | 8531 | TI | 15歳以上 | SOP-8 |
| SN65LBC176P | 10422 | TI | 16歳以上 | DIP-8 |
| SN65LBC184DR | 4784 | TI | 16歳以上 | SOP-8 |
| SN65LVDM176DGKR | 4223 | TI | 15歳以上 | MSOP-8 |
| SN7407N | 9215 | TI | 14歳以上 | DIP-14 |
| SN74ABT541BDBR | 34000 | TI | 00+ | SSOP-20 |
25LC512
512 Kビット SPI バス シリアル EEPROM
特徴：
・最大20MHzクロック速度
• バイトおよびページレベルの書き込み操作:
- 128バイトのページ
- 最大5ミリ秒
- ページまたはセクターの消去は必要ありません
• 低電力CMOSテクノロジー:
- 最大。書き込み電流: 5.5V、20MHzで5mA
- 読み取り電流: 5.5V、20MHzで10mA
- スタンバイ電流: 2.5V で 1uA (ディープパワーダウン)
• デバイスIDの電子署名
• セルフタイム消去および書き込みサイクル:
- ページ消去 (5 ミリ秒、標準)
- セクタ消去 (10 ms/セクタ、標準)
- 一括消去 (10 ミリ秒、標準)
• セクター書き込み保護 (16K バイト/セクター):
- アレイの何も保護しない、1/4、1/2、またはすべてを保護する
• 内蔵書き込み保護:
- 電源オン/オフデータ保護回路
- 書き込みイネーブルラッチ
- ライトプロテクトピン
• 高信頼性：
- 耐久性: 100 万回の消去/書き込みサイクル
- データ保存期間: > 200 年
- ESD保護: >4000V
• サポートされる温度範囲:
- 工業用 (I): -40°C ～ +85°C
- 自動車 (E): -40°C ～ +125°C
• 鉛フリーおよび RoHS 準拠
説明：
Microchip Technology Inc. 25LC512 は、バイト レベルおよびページ レベルのシリアル EEPROM 機能を備えた 512 K ビット シリアル EEPROM メモリです。また、一般的にフラッシュベースの製品に関連付けられているページ、セクター、およびチップ消去機能も備えています。これらの関数は、バイトまたはページの書き込み操作には必要ありません。メモリには、単純なシリアル ペリフェラル インターフェイス (SPI) 互換のシリアル バス経由でアクセスします。必要なバス信号は、クロック入力 (SCK) と個別のデータ入力 (SI) およびデータ出力 (SO) ラインです。デバイスへのアクセスは、チップ セレクト (CS) 入力によって制御されます。
デバイスへの通信はホールド ピン (HOLD) を介して一時停止できます。デバイスが一時停止している間、その入力の遷移はチップ セレクトを除いて無視され、ホストがより優先度の高い割り込みを処理できるようになります。
25LC512 は、8 リード PDIP、SOIC、および高度な 8 リード DFN パッケージを含む標準パッケージで入手できます。すべてのパッケージは鉛フリーで RoHS に準拠しています。
絶対最大定格 （†）
VCC................................................................... ................................................................... ................................................6.5V
すべての入力と出力は V に準拠しますSS................................................................... ................... -0.6V ～ VCC+1.0V
保管温度 ................................................................... ...................................................-65℃～ 150℃
バイアス下の周囲温度................................................................................ ...................................-40℃～125℃
すべてのピンの ESD 保護................................................................ ................................................................... ……4kV
† 注意: 「絶対最大定格」に記載されているストレスを超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これはストレス定格のみであり、この仕様の動作リストに示されている条件またはその他の条件でのデバイスの機能動作は暗示されません。最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。
パッケージの種類(縮尺通りではありません)
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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