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CY7C1328G-133AXI 電子 IC チップ 集積回路チップ 4 Mbit (256K x 18) パイプライン DCD 同期 SRAM

メーカー:
製造者
記述:
SRAM -同期、SDRの記憶IC 4.5Mbitは平行にする133のMHz 4 ns 100-TQFP (14x20)を
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
保管温度:
– 65°Cへの+150°C
応用力の周囲温度:
– 55°Cへの+125°C
GNDに関連するVDDの供給電圧:
– 0.5Vへの+4.6V
GNDに関連するVDDQの供給電圧:
– 0.5Vへの+VDD
電圧をDC入力:
– 0.5VへのVDD + 0.5V
出力に現在(低い):
20 mA
ハイライト:

programming ic chips

,

ic programmer circuit

導入

 

CY7C1328G 4M ビット (256K x 18) パイプライン DCD 同期 SRAM

 

特徴

• パイプライン操作用に登録された入力と出力

• パフォーマンスに最適 (ダブルサイクル選択解除)

— 待機状態なしの深さの拡張

• 256K × 18 の共通 I/O アーキテクチャ

• 3.3V コア電源 (VDD)

• 3.3V/2.5VI/O 電源 (VDDQ)

• クロックから出力までの時間が速い

— 2.6 ns (250 MHz デバイスの場合)

• 高性能の 3-1-1-1 アクセス レートを提供

• Intel® Pentium® インターリーブまたはリニア バースト シーケンスをサポートするユーザー選択可能なバースト カウンター

• 個別のプロセッサーとコントローラーのアドレス・ストローブ

• 同期セルフタイミング書き込み

• 非同期出力イネーブル

• 鉛フリー 100 ピン TQFP パッケージで入手可能

• 「ZZ」スリープモードオプション

 

機能の説明

CY7C1328G SRAM は、256K x 18 SRAM セルと、高度な同期周辺回路および内部バースト動作用の 2 ビット カウンタを統合しています。すべての同期入力は、ポジティブエッジでトリガーされるクロック入力 (CLK) によって制御されるレジスタによってゲートされます。同期入力には、すべてのアドレス、すべてのデータ入力、アドレス パイプライン チップ イネーブル (CE1)、深さ拡張チップ イネーブル (CE2 および CE3)、バースト コントロール入力 (ADSC、ADSP、および ADV)、書き込みイネーブル (BW[A: B]、BWE)、およびグローバル書き込み (GW)。非同期入力には、出力イネーブル (OE) と ZZ ピンが含まれます。

アドレスとチップ イネーブルは、アドレス ストローブ プロセッサ (ADSP) またはアドレス ストローブ コントローラ (ADSC) がアクティブなとき、クロックの立ち上がりエッジで登​​録されます。後続のバースト アドレスは、Advance ピン (ADV) の制御に従って内部で生成できます。

アドレス、データ入力、および書き込み制御はオンチップに登録され、セルフタイム書き込みサイクルを開始します。この部品はバイト書き込み動作をサポートしています (詳細については、「ピンの説明と真理値表」を参照してください)。書き込みサイクルは、バイト書き込み制御入力によって制御されるように、1 ~ 2 バイト幅にすることができます。GW アクティブ LOW により、すべてのバイトが書き込まれます。このデバイスには追加のパイプライン イネーブル レジスタが組み込まれており、選択解除が実行されるときに出力バッファのオフをさらに 1 サイクル遅らせます。この機能により、システムのパフォーマンスを損なうことなく深さを拡張できます。

CY7C1328G は +3.3V コア電源で動作し、すべての出力は +3.3V または +2.5V 電源で動作します。すべての入出力は JEDEC 規格の JESD8-5 に準拠しています。

 

最大定格

(これを超えると耐用年数が損なわれる可能性があります。ユーザーガイドラインのため、テストはされていません。)

保管温度 ................................................................... .... –65°C ~ +150°C

電源投入時の周囲温度................................................–55°C ~ +125°C

Vの電源電圧DDGND 基準................................................ –0.5V ~ +4.6V

Vの電源電圧DDQGND 基準 ................................... –0.5V ~ +VDD

トライスタで出力に印加される DC 電圧................................ –0.5V ~ VDDQ+0.5V

DC 入力電圧 ................................................................... ..... –0.5V~VDD+0.5V

出力への電流 (LOW)................................................................ ................................20mA

静電気放電電圧................................................................................ ................ > 2001V

(MIL-STD-883、メソッド 3015 に準拠)

ラッチアップ電流 ................................................................ ................................ > 200mA

 

機能ブロック図

 

 

パッケージ図

 

 

 

株式公開(ホットセル)

部品番号 数量 製造業 D/C パッケージ
MC78L15ACDR2G 30000 の上 10+ SOP-8
MC74HC32ADR2G 25000 の上 10+ SOP
MC14093BDR2G 30000 の上 16歳以上 SOP
A2C11827-BD 3000 ST 11+ HSOP20
LM337D2TR4 5991 の上 13歳以上 TO-263
LTC6090CS8E 6129 線形 15歳以上 SOP
PC817C 25000 シャープ 16歳以上 浸漬
LT1170CQ 5170 線形 14歳以上 TO-263
ATMXT768E-CUR 3122 アトメル 12歳以上 VFBGA96
LM809M3X-4.63 10000 NSC 14歳以上 SOT-23-3
PIC12F510-I/P 5453 マイクロチップ 16歳以上 浸漬
30578 1408 ボッシュ 10+ QFP-64
LM4040AIM3-2.5 10000 NSC 15歳以上 SOT-23
LP38692MP-3.3 3843 NSC 15歳以上 SOT-223
LPC4330FET256 2411 15歳以上 TFBGA-256
LAA120P 2674 CPCLARE 15歳以上 SOP8
MCP42010-I/SL 5356 マイクロチップ 16歳以上 SOP
LM3940IMP-3.3 10000 NSC 15歳以上 SOT-223
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MAX16054AZT+ 6100 マキシム 15歳以上 SOT
PCA9555PW 12520 11+ TSSOP

 

 

 

 

 

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