AT28C64B-15PU プログラマブル IC チップ電子部品
programming ic chips
,programmable audio chip
ページ書き込みおよびソフトウェア データ保護機能付き 64K (8K x 8) パラレル EEPROM AT28C64B
特徴
• 高速読み取りアクセス時間 – 150 ns
• 自動ページ書き込み動作
– 64 バイトの内部アドレスおよびデータ ラッチ
• 高速な書き込みサイクル時間
– ページ書き込みサイクル時間: 最大 10 ms (標準)
最大 2 ms (オプション – 参照: AT28HC64BF データシート)
– 1 ～ 64 バイトのページ書き込み操作
• 低消費電力
– 40mAの有効電流
– 100μAのCMOSスタンバイ電流
• ハードウェアおよびソフトウェアのデータ保護
• データポーリングと書き込み終了検出用のトグルビット
• 高信頼性CMOSテクノロジー
– 耐久性: 100,000 サイクル
– データ保持: 10 年間
• 単一 5V ±10% 電源
• CMOSおよびTTL互換の入力および出力
• JEDEC 承認のバイトワイド ピン配置
• 工業用温度範囲
• グリーン (鉛/ハロゲン化物フリー) パッケージ オプション
1. 説明
AT28C64B は、高性能の電気的に消去およびプログラム可能な読み取り専用メモリ (EEPROM) です。その 64K のメモリは、8,192 ワード x 8 ビットとして構成されています。Atmel の高度な不揮発性 CMOS テクノロジーを使用して製造されたこのデバイスは、わずか 220 mW の消費電力で 150 ns までのアクセス時間を実現します。デバイスが選択解除されると、CMOS スタンバイ電流は 100 µA 未満になります。
AT28C64B は、外部コンポーネントを必要とせずに、読み出しまたは書き込みサイクルでスタティック RAM のようにアクセスされます。このデバイスには 64 バイトのページ レジスタが含まれており、最大 64 バイトの同時書き込みが可能です。書き込みサイクル中、アドレスと 1 ～ 64 バイトのデータが内部でラッチされ、アドレスとデータ バスが他の操作のために解放されます。書き込みサイクルの開始に続いて、デバイスは内部制御タイマーを使用してラッチされたデータを自動的に書き込みます。書き込みサイクルの終了は、I/O7 の DATA POLLING によって検出できます。書き込みサイクルの終了が検出されると、読み取りまたは書き込みの新しいアクセスを開始できます。
Atmel の AT28C64B には、高品質と製造性を確保するための追加機能があります。このデバイスは内部エラー訂正を利用して耐久性を延長し、データ保持特性を向上させます。オプションのソフトウェア データ保護メカニズムを使用して、不注意な書き込みを防止できます。このデバイスには、デバイスの識別または追跡用に追加の 64 バイトの EEPROM も含まれています。
2. 端子配置
| ピン名 | 関数 |
| A0～A12 | 住所 |
| CE | チップイネーブル |
| OE | 出力イネーブル |
| 私たち | ライトイネーブル |
| I/O0 ～ I/O7 | データ入力/出力 |
| ノースカロライナ州 | 接続なし |
| 直流 | 接続しないでください |
2.1 28 ピン PDIP、28 ピン SOIC の上面図
2.2 32 リード PLCC の上面図
注: PLCC パッケージのピン 1 と 17 は接続しないでください。
2.3 28 リード TSOP の上面図
3. ブロック図
4. 絶対最大定格*
バイアス下の温度................................-55°C ～ +125°C
保存温度 ................................................. -65°C ～ +150°C
すべての入力電圧
(NCピン含む)
グランド基準 ...................................-0.6V ～ +6.25V
すべての出力電圧
グランド基準 ....................................-0.6V ～ VCC + 0.6V
OE および A9 の電圧
グランド基準 ...................................-0.6V ～ +13.5V
*注意: 「絶対最大定格」に記載されているストレスを超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これはストレス定格のみであり、これらの条件またはこの仕様の動作セクションに示されている条件を超えるその他の条件でのデバイスの機能動作は暗示されません。絶対最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります
AT25128AN-10SI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
AT25160A-10TI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
AT24C64BN-10SU-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
AT25020AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
AT25040AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
AT25010AN-10SU-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
AT25020AY1-10YI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
24LC64-I/P TVの記憶IC 64Kb （8K X 8）私² C 400kHz 900ns 8 PDIP Eepromのフラッシュ・メモリ
AT24C512C-SSHD-Tのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
AT25010N-10SCのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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AT25128AN-10SI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 128Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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AT25160A-10TI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 16Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
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AT24C64BN-10SU-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-SOIC
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AT25020AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
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AT25040AY1-10YI-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 4Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
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AT25010AN-10SU-1.8フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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AT25020AY1-10YI-2.7フラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
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24LC64-I/P TVの記憶IC 64Kb （8K X 8）私² C 400kHz 900ns 8 PDIP Eepromのフラッシュ・メモリ |
EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-PDIP
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AT24C512C-SSHD-Tのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 512Kbit I²C 1 MHz 550 ns 8-SOIC
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AT25010N-10SCのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 3 MHz 8-SOIC
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