CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) スタティック RAM ic プリント基板回路基板 ic
electronics ic chip
,integrated circuit components
CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) スタティック RAM ic プリント基板回路基板 ic
特徴
■ 温度範囲
❐ 商用: 0°C ～ 70°C
❐ 工業用: –40°C ～ 85°C
❐ 自動車-A: –40°C ～ 85°C
❐ オートモーティブ-E: –40°C ～ 125°C
■高速：55ns
■ 電圧範囲: 4.5V ～ 5.5V 動作
■ 低い有効電力
❐ 275mW (最大)
■低待機電力（LLバージョン）
❐ 82.5 μW (最大)
■ CE および OE 機能による簡単なメモリ拡張
■ TTL 対応の入出力
■ 選択解除時の自動パワーダウン
■ 最適な速度とパワーを実現する CMOS
■ 鉛フリーおよび非鉛フリー 28 ピン (600 ミル) PDIP で利用可能、
28 ピン (300 ミル) ナロー SOIC、28 ピン TSOP-I、
および 28 ピン リバース TSOP-I パッケージ
機能の説明
CY62256N[1] は、32K ワード x 8 ビットとして構成された高性能 CMOS スタティック RAM です。アクティブ LOW チップ イネーブル (CE)、アクティブ LOW 出力イネーブル (OE)、およびトライステート ドライバによってメモリ拡張が容易になります。このデバイスには自動パワーダウン機能があり、選択を解除すると消費電力が 99.9% 削減されます。
アクティブな LOW 書き込みイネーブル信号 (WE) は、メモリの書き込み/読み取り動作を制御します。CE 入力と WE 入力が両方とも LOW の場合、8 つのデータ入出力ピン (I/O0 ～ I/O7) 上のデータは、アドレス ピン (A0 ～ A14) に存在するアドレスによってアドレス指定されたメモリ位置に書き込まれます。デバイスの読み取りは、デバイスを選択し、WE が非アクティブまたは HIGH のままである間に出力 (CE および OE アクティブ LOW) を有効にすることによって実行されます。このような条件下では、アドレス ピンの情報で指定された位置の内容が 8 本のデータ入出力ピンに存在します。
チップが選択され、出力がイネーブルされ、書き込みイネーブル (WE) が HIGH にならない限り、入出力ピンはハイ インピーダンス状態のままです。
在庫リスト
| CA1458E | 1380 | インターシル | 15歳以上 | 浸漬 |
| 7MBR50NF060 | 500 | 富士 | 16歳以上 | モジュール |
| AD517JH | 2450 | 広告 | 13歳以上 | できる |
| 2N6394 | 3000 | の上 | 14歳以上 | TO-220 |
| 2SA1385-Z-E1 | 3000 | NEC | 16歳以上 | TO-252 |
| ASPC2R/STE2A | 1600 | の上 | 16歳以上 | QFP100 |
| IRF710 | 1500 | IR | 13歳以上 | SOP |
| BQ27510DRZR-G2 | 1560年 | TI | 15歳以上 | QFN |
| IRF840 | 1500 | IR | 16歳以上 | TO-220 |
| IRF740 | 1500 | IR | 16歳以上 | SOP |
| ADG783BCPZ | 2000年 | 広告 | 15歳以上 | LFCSP |
| ADM3202ARNZ | 2000年 | 広告 | 15歳以上 | SOP-16 |
| 1N4448W-7-F | 9000 | ダイオード | 13歳以上 | SOD123 |
| IRF7389TR | 1500 | IR | 15歳以上 | SOP |
| HA13164AH | 3460 | 打つ | 15歳以上 | 浸漬 |
| IRFR024N | 1500 | IR | 13歳以上 | TO-252 |
| HT9302G | 2460 | ホルテック | 14歳以上 | DIP-16 |
| BTA08-600BW | 2100 | ST | 13歳以上 | TO-220 |
| 2SD1555 | 3000 | 東芝 | 13歳以上 | TO-3P |
| 2SK2996 | 3000 | 東芝 | 15歳以上 | TO-220F |
| 2SK2671 | 3000 | 新電撃 | 15歳以上 | TO-220 |
| 2SK3451 | 3000 | 富士 | 16歳以上 | TO-220F |
| AD574AJD | 2450 | 広告 | 16歳以上 | DIP-28 |
| 4N32 | 3000 | FSC | 15歳以上 | DIP-6 |
| 2SC3997 | 3000 | 三洋電機 | 15歳以上 | TO-3PL |
| 2SC5148 | 3000 | 東芝 | 16歳以上 | TO-3P |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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