4N33 集積回路の破片、パワー エレクトロニクス部品 PhotodarliCM GROUPon オプトカプラー
electronics ic chip
,integrated circuit components
4N33 集積回路チップ
フォトダーリントンフォトカプラ
RoHS ピークリフロー温度定格 245C IEEE 802.3af/ANSI X3.263 準拠のパフォーマンス IP 電話またはスイッチ アプリケーション向けに設計
在庫リスト
| CI SN74LS244N | TI | 64AH70K/5ACCLLK | DIP-20 |
| CI 74HC238D | 1640年 | SOP-16 | |
| CI P8255A5 (L8320146 ではありません) | インテル | L5171029 | DIP-40 |
| CI HEF4051BT | 1622+ | SOP-16 | |
| CI シリアル番号 Iボタン DS1990A-F5+ |
ダラス | 1631年 | ボタン |
| CI M27C2001-10F1 | ST | 1211K | CDIP 32 |
| トランス IRF540NPBF | IR | P632D | TO-220 |
| トライアック BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
| CI MC908MR16CFUE | フリースカル | 1341 | LQFP-64 |
| CI 74HC245DB,118 | 1619 | SSOP-20 | |
| CI MCP130T-315I/TT | マイクロチップ | プレップ | SOT23-3 |
| ディオード RGF1M-E3/67A | ビシェイ | RM/5B | SMA |
| CI 74HC244DB,118 | 1418 | SSOP-20 | |
| CI 74LVC139D | 1213 | SOP-16 | |
| CI LD1086V33 | ST | 829/833 | TO-220 |
| ディオード TPD4E001DBVR | TI | NFY5 | SOT23-6 |
| トライアック BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
| S5M-E3/57T | ビシェイ | 1632/5M | SMC |
| ダイオードLED VSLB3940 | ビシェイ | 10+ | DIP-2 |
| MMBT3906LT1G | の上 | 1642/2A | SOT-23 |
| ディオード BAS16LT1G | オンセミ | 1640/A6 | SOT-23 |
| MBR3045CTP | ダイオード | 1024 | TO-220 |
| GBU6M | ビシェイ | 1510L | DIP-4 |
| GBU608 | 9月 | 16歳以上 | DIP-4 |
| センサー KTY11-6 Q62705-K246 |
T6/S76 | TO-92 | |
| CI AD590KH | 広告 | 1406 | CAN3 |
| CI ICL7660CBAZ | インターシル | V1608BA | SOP-8 |
| CI PC817C | シャープ | H41 | DIP-4 |
| トランスチップ127 (ROHS) | ST | 608 | TO-220 |
| オプト4N25M | FSC | 645Q |
DIP-6 |
特徴
• 非常に高い電流伝達率、最小 500%。
• 高い絶縁抵抗、1011 Ω（標準）
• 標準プラスチック DIP パッケージ
• アンダーライターズ ラボ ファイル #E52744
• VDE 承認 #0884
説明
4N32 および 4N33 は、ガリウムヒ素赤外線 LED とシリコンフォトダーリントンセンサーを備えた光学的に結合されたアイソレータです。駆動回路と負荷回路間の高度な絶縁を維持しながらスイッチングを実現できます。
これらのフォトカプラは、長寿命、高速スイッチング、磁界の除去などの利点を備え、リード リレーや水銀リレーの代替として使用できます。
最大定格
エミッタピーク逆電圧 ................................................................... 3 V
連続順電流 ................................60 mA
25℃での許容損失................................................100 mW
55°C から直線的に低下....................................1.33 mW/°C
検出器のコレクタ・エミッタ間降伏電圧、BVCEO ................................................... ................................30V
エミッタ・ベース間降伏電圧、BVEBO ................................................... ................................8V
コレクタ・ベース降伏電圧、BVCBO ................................................................ ...................50V
エミッタ・コレクタ間降伏電圧、BVECO ................................................... ................................5V
コレクタ（負荷）電流................................................125 mA
周囲温度 25°C での許容損失 ................................150 mW
25 °C から直線的に低下....................................2.0 mW/°C
周囲温度 25°C でのパッケージの総損失 ................................250 mW
25 °C から直線的に低下....................................................3.3 mW/°C
絶縁試験電圧................................................5300
VACRMS エミッタとディテクタ間、標準気候: 23°C/50%RH、
DIN 50014 漏れ経路 ................................................................... 7 mm 以上
空気の通り道................................................................ ... 最小 7 mm
RoHS SOD123の場合の速いスイッチング・ダイオードSOT23 1N4148W-E3-08
LL42-GS08 30V 200mAの芝地-信号のショットキー80のダイオード
SMBJ170A-E3/52ピーク脈拍力600W 17Vのスタンドオフの電圧VISHAY
TO-247 VISHAY力Mosfet 12A 200V PチャネルIRFP9240PBF
VO0630T フィールド効果トランジスタ 新品とオリジナルストック
1W 18Kohms 300V 50ppm MELFの抵抗器MMB02070C1802FB200
MMB02070C1004FB200テレコミュニケーションの薄膜の活動的な部品の状態のための反硫黄SMDの破片の抵抗器
MMB02070C1503FB200薄膜抵抗器150のKOhms ±1% MELF 0207のメタル・フィルム抵抗器
SMM02040C3903FB300 MELF 0204の390kオームの抵抗器、反硫黄の自動車バラスト抵抗器
MMA02040C2201FB300 SMDの破片の抵抗器0.4Wの2/5W 0204反硫黄2.2 KOhms
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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RoHS SOD123の場合の速いスイッチング・ダイオードSOT23 1N4148W-E3-08 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
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LL42-GS08 30V 200mAの芝地-信号のショットキー80のダイオード |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
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SMBJ170A-E3/52ピーク脈拍力600W 17Vのスタンドオフの電圧VISHAY |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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TO-247 VISHAY力Mosfet 12A 200V PチャネルIRFP9240PBF |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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VO0630T フィールド効果トランジスタ 新品とオリジナルストック |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
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1W 18Kohms 300V 50ppm MELFの抵抗器MMB02070C1802FB200 |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1004FB200テレコミュニケーションの薄膜の活動的な部品の状態のための反硫黄SMDの破片の抵抗器 |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1503FB200薄膜抵抗器150のKOhms ±1% MELF 0207のメタル・フィルム抵抗器 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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SMM02040C3903FB300 MELF 0204の390kオームの抵抗器、反硫黄の自動車バラスト抵抗器 |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
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MMA02040C2201FB300 SMDの破片の抵抗器0.4Wの2/5W 0204反硫黄2.2 KOhms |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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