DS1220Y-100IND+はモジュールDIP24の時計の破片16k不揮発性SRAM 720MILを伸ばした
メーカー:
アナログ・デバイセズ
記述:
NVSRAM （不揮発性SRAM）の記憶IC 16Kbit平行100 ns 24-EDIP
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
To be negotiated
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
PN:
DS1220Y-100
ブランド:
ダラス
原物:
米国
パッケージ:
DIP24
タイプ:
720-MILはモジュールの時計の破片16k不揮発性SRAMを伸ばした
温度:
-40°Cへの+85°C
ハイライト:
Extended Module DIP24 Clock Chip
,SRAM DIP24 Clock Chip
,DS1220Y- 100
導入
DS1220Y-150+ DIP24 720-MIL 拡張モジュールCロックチップ16k 非揮発性 SRAM
全シリーズDS1220Y-100+120+150+200 IND
特徴
外部の電源がない場合,最低10年間のデータ保存
データが自動的に電源切れ時に保護されます.
2k x 8 の不安定な静的 RAM や EEPROM を直接置き換える
無制限の書き込みサイクル
低電力CMOS
JEDEC標準の24ピンのDIPパッケージ
読み書きアクセス時間は 100 ns まで速く
完全な ±10% の動作範囲
任意の産業用温度範囲 -40°Cから+85°C,IND
記述
DS1220Y 16k Nonvolatile SRAMは,16,384ビット,完全に静的,非揮発性RAMで,2048文字×8ビットに分類されている.
各NV SRAMには,自立したリチウムエネルギー源と制御回路がある.
VCCを常に監視して 容量を超えた状態を検知します
リチウムエネルギー源が自動的にオンになり,書き込み保護が無条件に有効にされ,データの破損を防ぐ.
NV SRAMは,人気のあるバイト幅24ピンのDIP標準に直接適合する既存の2k x 8 SRAMの代わりに使用できる.
DS1220Yは 2716 EPROM または 2816 EEPROM のピノートにも対応します
性能を向上させながら直接の代替を可能にします
実行できる書き込みサイクルの数に制限はないし,追加のサポート回路もありません
マイクロプロセッサインターフェースに必要な.
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標準的:
MOQ:
10pcs