300W-500WアンプTO-220 IRFB4227PBF PDPスイッチ
メーカー:
Infineon
記述:
N-Channel 200 V 65A （穴TO-220ABを通したTc） 330W （Tc）
部門:
電子ICの破片
価格:
To be negotiated
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
PN:
IRFB4227PB
ブランド:
INFINEON
原物:
ドイツ
パッケージ:
TO-220
タイプ:
PDPスイッチ高度プロセス
作動の接合部温度:
175°C
ハイライト:
IRFB4227PB PDP Switch
,TO-22 PDP Switch
,500W Amplifier PDP Power MOSFET
導入
IRFB4227PBPDP スイッチ 先進プロセス技術INFINEON ドイツ
特徴
先進的なプロセス技術
キーパラメータは PDP Sustain に最適化されています
エネルギー回収とパススイッチアプリケーション
低EPULSE電力を削減する
PDP Sustain,エネルギー回収,パススイッチアプリケーションにおける分散
低QGで迅速に対応する
高重複ピーク電流容量により信頼性の高い動作
短く転落・上昇する時間
175°C 動作交差点温度により強度が向上する
安定性と信頼性のための重複的な雪崩能力
D級オーディオアンプ300W-500W (半ブリッジ)
記述
このHEXFET8Power MOSFETは,Sustainのために特別に設計されています.
このHEXFET8Power MOSFETは,Sustainのために特別に設計されています.
プラズマディスプレイパネルのエネルギー復元&パススイッチアプリケーション
このMOSFETは,シリコン領域ごとに低電阻を達成するために最新の処理技術を使用します
このMOSFETの追加の特徴は 175°Cです
動作交差点温度と高重複ピーク電流能力
動作交差点温度と高重複ピーク電流能力
これらの特徴は,このMOSFETをPDP運転アプリケーションのための高効率で頑丈で信頼性の高いデバイスにします.
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs