BFS505,115 15V RF力トランジスター、18mA 9GHz 150mWの表面の台紙のトランジスター
メーカー:
NXP
記述:
RFのトランジスターNPN 15V 18mA 9GHz 150mW表面の台紙SC-70
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書
指定
部門:
トランジスター- （BJT）両極- RF
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
15V
頻度-転移:
9GHz
雑音指数（f） dBのタイプ@:
1.2dB | 2.1dB @ 900MHz
パワー最高:
150mW
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
60 @ 5mA、6V
現在-コレクター（（最高） IC）:
18mA
実用温度:
175°C （TJ）
ハイライト:
resistor equipped transistor
,silicon npn power transistors
導入
BFS505 NPN PNP トランジスタ RF トランジスタ NPN 15V 18mA 9GHz 150mW 表面マウント
NPN 9 GHz ブロードバンドトランジスタ
特徴
• 低電流消費
• 高い 電力 増加
• 低騒音率
• 高速 移行 頻度
• 金の金属化により
優れた信頼性
• SOT323 封筒
記述
プラスチック製SOT323のNPNトランジスタ
封筒に
低功率増幅器用に設計されています
オスイレーターとミキサー,特に
携帯型RF通信
設備 (携帯電話,無線)
携帯電話,ペイジャー) 2GHzまで
| 製品属性 | すべてを選択する |
| カテゴリー | 離散半導体製品 |
| トランジスタ - 双極 (BJT) - RF | |
| 製造者 | USA インク |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) |
| 部品のステータス | 時代遅れ |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) | 15V |
| 頻度 - 移行 | 9GHz |
| 騒音数 (dB Typ @ f) | 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| 利益 | - |
| パワー - マックス | 150mW |
| DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 6V |
| 電流 - コレクター (Ic) (最大) | 18mA |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | SC-70,SOT-323 |
| 供給者のデバイスパッケージ | SOT-323-3 |
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