600W SMBの一時的な電圧サプレッサーのダイオードSMBJ36CA-E3/52
600W Transient Voltage Suppressor Diode
,SMB Transient Voltage Suppressor Diode
,SMBJ36CA-E3/52
SMBJ36CA-E3/52# 表面マウント 臨時電圧抑制器 600W2ピンのSMBダイオードテレビS
特徴:
| 断定電圧最大: | 44.2V |
| 断定電圧-分: | 40V |
| 固定電圧最大: | 58.1V |
| 方向性: | 双方向 |
| エネルギー消耗: | 600W |
| パッケージタイプ: | SMB (DO-214AA) |
| マウント方法: | 表面マウント |
記述:
SMBJ36CA-E3/52は,表面マウント臨時電圧抑制器の一部です
-55°Cから+150°Cの動作温度範囲を有するダイオード,DO-214AA型パッケージ.
このシリーズのダイオードは,インダクティブロードスイッチによって誘発された電圧トランジエントに対する敏感な電子機器の保護に使用されます.
ICの照明も
• 低音質なパッケージ
• 自動配置に最適
• ガラスのパシビテーションチップ接続
• 単方向と双方向で利用可能
● 600Wピークパルス電源能力 10/1000 μs波形,繰り返しの速さ (作業サイクル): 0.01 %
• 優れた固定能力
• 反応時間が非常に速い
• 増強電圧抵抗が低い
• J-STD-020 によりMSLレベル1を満たし,LF 最大ピークは260°C
AEC-Q101 資格あり - 自動車用注文コード:ベース P/NHE3または P/NHM3
メカニカルデータ:
ケース:SMB (DO-214AA) 鋳造化合物は,UL 94 V-0 炎症性基準Base P/N-E3を満たし,RoHSに準拠しています.
商用品種Base P/N-M3 - ハロゲンなし,RoHS対応
商用グレードのBase P/NHE3_X - RoHS準拠でAEC-Q101資格のあるBase P/NHM3_X - ハロゲン無
RoHS準拠,AEC-Q101認定 (A,B,C,D,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E,E) )
ターミナル:J-STD-002とJESD 22-B102 E3,M3,HE3で溶接可能なマットチンの電線
そしてHM3後尾はJESD 201クラス2の口ひげ試験を満たしている
極性:一方向型では帯がカソード端を表示し,二方向型では表示されない.
双方向アプリケーションのための装置
双方向装置については,CA後項 (SMBJ10CA) を使用する.電気特性については両方向に適用する.
典型的な用途
感应式負荷切換によって誘発された電圧変圧に対する敏感電子機器の保護に使用
IC,MOSFET,消費者,コンピュータ,産業,電信用のセンサーユニットの信号ラインの照明です
RoHS SOD123の場合の速いスイッチング・ダイオードSOT23 1N4148W-E3-08
LL42-GS08 30V 200mAの芝地-信号のショットキー80のダイオード
SMBJ170A-E3/52ピーク脈拍力600W 17Vのスタンドオフの電圧VISHAY
TO-247 VISHAY力Mosfet 12A 200V PチャネルIRFP9240PBF
VO0630T フィールド効果トランジスタ 新品とオリジナルストック
1W 18Kohms 300V 50ppm MELFの抵抗器MMB02070C1802FB200
MMB02070C1004FB200テレコミュニケーションの薄膜の活動的な部品の状態のための反硫黄SMDの破片の抵抗器
MMB02070C1503FB200薄膜抵抗器150のKOhms ±1% MELF 0207のメタル・フィルム抵抗器
SMM02040C3903FB300 MELF 0204の390kオームの抵抗器、反硫黄の自動車バラスト抵抗器
MMA02040C2201FB300 SMDの破片の抵抗器0.4Wの2/5W 0204反硫黄2.2 KOhms
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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RoHS SOD123の場合の速いスイッチング・ダイオードSOT23 1N4148W-E3-08 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
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LL42-GS08 30V 200mAの芝地-信号のショットキー80のダイオード |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
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SMBJ170A-E3/52ピーク脈拍力600W 17Vのスタンドオフの電圧VISHAY |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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TO-247 VISHAY力Mosfet 12A 200V PチャネルIRFP9240PBF |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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VO0630T フィールド効果トランジスタ 新品とオリジナルストック |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
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1W 18Kohms 300V 50ppm MELFの抵抗器MMB02070C1802FB200 |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1004FB200テレコミュニケーションの薄膜の活動的な部品の状態のための反硫黄SMDの破片の抵抗器 |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1503FB200薄膜抵抗器150のKOhms ±1% MELF 0207のメタル・フィルム抵抗器 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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SMM02040C3903FB300 MELF 0204の390kオームの抵抗器、反硫黄の自動車バラスト抵抗器 |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
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MMA02040C2201FB300 SMDの破片の抵抗器0.4Wの2/5W 0204反硫黄2.2 KOhms |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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