FM24CL04B-GTR 4 - Kbitの非揮発性メモリ、FRAMの連続フラッシュ・メモリ速いI2Cインターフェイス
メーカー:
製造者
記述:
FRAM （Ferroelectric RAM）の記憶IC 4Kbit I ² C 1 MHz 550 ns 8-SOIC
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
指定
シリーズ:
FM24CL04B
電圧:
2.7 Vから3.65ボルト
特徴:
低い電力の消費
記憶容量:
4 Kb （512 x 8）
適用:
LCDのモニター、フラット パネルTVのプリンター、GPS、エムピー・スリー
パッケージ:
SOIC8
クロック周波数:
頻度1 MHzの
インターフェイス:
速い2ワイヤー シリアル・インタフェース（I2C）
ハイライト:
serial flash memory
,serial flash chip
導入
FM24CL04B-GTRのフラッシュ・メモリの破片4Kbitの速い2ワイヤー シリアル・インタフェース連続FRAMのフラッシュ
記述
FM24CL04Bは高度のferroelectricプロセスを用いる4-Kbit不揮発性メモリである。ferroelectric RAMメモリかF-RAMは不揮発性で、読み、書くRAMに類似した行う。それは151年間EEPROMおよび他の不揮発性メモリによって起こされる複雑さ、間接費およびシステム レベルの信頼性問題を除去している間信頼できるデータ保持を提供する。EEPROMとは違って、FM24CL04Bはバス速度で操作を書くために行う。遅れを負われる書いてはいけない。データは装置に各バイトの直後の記憶配列に首尾よく移る書かれている。次のバス周期はデータ投票のための必要性なしで始まることができる。さらに、プロダクトは相当書く他の不揮発性メモリと比較される持久力を提供する。また、F-RAMはEEPROMがその後操作を要求しない内部的に高い電源電圧をのために書く回路を書くより大いに低い電力をの間に書く表わす。FM24CL04Bは1014の読み書き周期を支えることができる、または100，000,000倍もっとEEPROMより周期を書く。これらの機能は不揮発性メモリの適用のためのFM24CL04Bの要求理想、頻繁な要求をを作るまたは急速書く。例はデータ ロギングからの数が周期を長いのEEPROMの時をデータ損失を引き起こすことができる書く産業制御の要求に重大、かもしれないどこに書くか、及ぶ。特徴の組合せはシステムのためにより少ない間接費と書くより頻繁なデータを可能にする。FM24CL04Bは連続（I2C）のユーザーにハードウェアdrop-inの取り替えとして相当な利点をEEPROM提供する。装置指定は+85 C.に– 40 Cの産業温度較差に保証される。
特徴
■4-Kbit ferroelectric RAMメモリ（F-RAM）論理的に
8 512 ×として組織される
❐の高持久力100兆は（1014）読んだり/書く
❐ 151年データ保持（データ保持および持久力を見なさい
ページ10）
❐ NoDelay™は書く
❐の高度の高信頼性のferroelectricプロセス
■速い2ワイヤー シリアル・インタフェース（I2C）
1 MHz頻度までの❐
❐は連続（I2C）のためのハードウェア取り替えをEEPROM指示する
❐は100つのkHzおよび400のkHzのための遺産のタイミングを支える
■低い電力の消費
❐ 100の100つのkHzの活動的な流れ
❐ 3のA （タイプ）のスタンバイの流れ
■電圧操作:VDD = 2.7ボルトから3.65ボルト
■産業温度:– 40Cから+85C
■8ピン小さい輪郭の集積回路（SOIC）のパッケージ
■迎合的な危険な物質（RoHS）の制限
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適用
産業、コミュニケーション及びネットワーキング
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