ADE7858AACPZ-RLのデータ変換装置ICは多相多functn EnergyMetr ICを専門にした
dac integrated circuit
,da converter chip
ADE7858AACPZ-RLのデータ変換装置ICは多相多functn EnergyMetr ICを専門にした
特徴
- 極めて正確;EN 50470-1、EN 50470-3を支える、
- IEC 62053-21、IEC 62053-22、およびIEC 62053-23の標準
- 3-phase、3 -または4ワイヤー（デルタかY字状回路）メートルと互換性がある、および他の3-phaseサービス
- 供給は（毎段階と総合システムの基本的で、調和的な）活動的な、反応、明白なエネルギーおよび基本的で活動的な/反応エネルギーを合計する
- 1000から1のダイナミック レンジ上の活動的な、反応エネルギーの0.1%の間違い（典型的な）のTA = 25°C
- 3000から1のダイナミック レンジ上の活動的な、反応エネルギーの0.2%の間違い（典型的な）のTA = 25°C
- 低いさざ波rmsの記録で利用できる平均されたrmsの測定
- 計算によって中性カレントの入力推定中性カレントの測定のための変流器そしてdi/dt現在のセンサーによって専用されているADCのチャネルを支える
- すべての3段階の段階の流れの合計のrms電圧の0.1%の間違い（典型的な）およびa上の現在のrms
- 1000から1のダイナミック レンジのTA = 25°C
- 供給はと波形データをすべての3段階見本抽出した
- 中性カレント
- 選択可能全体および基本的のための負荷境界無し
- 、また皮相電力の極めて正確な低い電力電池モード段階の流れのための活動的、無効電力
- antitampering検出のための監視
- 中立操作を逃すための電池供給の入力
- 流れおよび電圧チャネルの口径測定の頻度（CF）出力の位相角の測定はLEDをディレクト・ドライブ
- オプティカルアイソレータ
- 参照:1.2外面のV （典型的な±5 ppm/°Cの漂流）
- オーバードライブの機能
- 単一の3.3ボルトの供給
- 40鉛、Pbなしの鉛フレームの破片のスケールのパッケージ（LFCSP）の実用温度:−40°Cへの+85°C
- 適用範囲が広いI2C、SPIおよびHSDCのシリアル・インタフェース
概説
ADE7854A/ADE7858A/ADE7868A/ADE7878Aはシリアル・インタフェースとの高精度な、3-phase電気エネルギーの測定ICおよび3適用範囲が広いパルス出力機構である。装置はΣ-∆の第2次アナログ・ディジタル変換器（ADCs）、デジタル積分器、参照の回路部品、および総（基本的で、調和的な）活動的な、反応（ADE7858A、ADE7868AおよびADE7878A）、および明白なエネルギー測定およびrmsの計算を行うために必要なすべての信号処理を織込んでいる。
ADE7878Aはまた基本的だけ活動的な、反応エネルギー測定およびrmsの計算を行うことができる。固定機能ディジタル信号プロセッサ（DSP）は信号処理を実行する。DSPプログラムは内部固定記憶装置で貯えられる。
ADE7854A/ADE7858A/ADE7868A/ADE7878Aはさまざまな3-phase構成の活動的な、反応、明白なエネルギーを、3本そして4本のワイヤーとのY字状回路またはデルタ サービスのような、測定できる。8つのkHz毎に更新される規則的なrmsの測定は別として、これらの装置は内部的に平均され、あらゆる1.024秒更新される低いさざ波rmsの価値を測定する。装置は毎段階の間システム口径測定の特徴を提供する、すなわち、rmsは訂正、段階の口径測定および利益口径測定を相殺した。
CF1、CF2およびCF3論理の出力は力情報の幅広い選択を提供する。4つの装置はすべて総活動的な、皮相電力を、また現在のrmsの価値の合計を提供する;ADE7858A、ADE7868AおよびADE7878Aはまた総無効電力を提供する;ADE7878Aが基本的な活動的および無効電力を提供する一方。
ADE7854A/ADE7858A/ADE7868A/ADE7878AはすべてのADCの出力へのアクセスを可能にする波形の見本抽出の記録を含んでいる。装置はまた短い持続期間の低いですか高圧検出、短い持続期間の段階の電圧と流れ間の高い現在の変化、線間電圧の期間の測定、および角度のような力の質の測定を、織込んでいる。
2つのシリアル・インタフェース、連続周辺機器インターフェイス（SPI）およびI2Cは装置と、伝達し合うことができる。I2Cと共に熱心な高速インターフェイス、高速データ収集（HSDC）の港が、ADCの出力および実時間力情報へのアクセスを提供するのに使用することができる。
装置は2つの割込み要求ピン、IRQ0およびIRQ1を備えている、
可能にされた割り込みでき事が起こったことを示すため。ADE7868A/ADE7878Aのために、3つは特にADE7868A/ADE7878Aが弄る状態にあるときエネルギー蓄積の継続を保障するように低い電力モードを設計した。
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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