ケイ素NPNの一般目的のアンプの高圧トランジスターMMBT5551
メーカー:
製造者
記述:
両極（BJT）トランジスターNPN 160 V 600 mA 100MHz 350 MWの表面の台紙SOT-23-3
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Bargain
支払方法:
T/T
指定
記述:
両極トランジスター- BJT SOT23、NPN、0.6A、160V、HighVolt
タイプ:
両極トランジスター- BJT
名前:
トランジスタ
部品番号:
MMBT5551
パッケージ:
SOT-23-3
小さい順序:
歓迎
ハイライト:
MMBT5551 High Voltage Transistor
,NPN Amplifier High Voltage Transistor
,NPN Silicon High Voltage Transistor
導入
SOT-23 -力トランジスターおよびDarliCM GROUPons
部品番号
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
電気特徴
|
Mfr。# |
MMBT5551 |
| 様式の取付け | SMD/SMT |
| トランジスター極性 | NPN |
| 構成 | 単一 |
| 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO | 160ボルト |
| コレクターの基礎電圧VCBO | 180ボルト |
| エミッターの基礎電圧VEBO | 6ボルト |
| Collector-Emitterの飽和電圧 | 0.2ボルト |
| 最高DCのコレクター流れ | 0.6 A |
| Pd -電力損失 | 325 MW |
| 利益帯域幅プロダクトfT | 300のMHz |
| 最低の実用温度 | - 55 C |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| DCのコレクター/基礎利益hfe分 | 10 mAの80、5ボルト |
| 最高DCの現在の利益hFE | 10 mAの250、5ボルト |
| 製品タイプ | BJTs -両極トランジスター |
電気特徴（でTa = 25°C他に特に規定がなければ）
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