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キーワード [ multilayer ceramic chip capacitors ] マッチ 51 製品.
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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T491B106K016ATの帽子SMDBのコンデンサーICのタンタルの破片の多層陶磁器のチップ・コンデンサ |
10 µF Molded Tantalum Capacitors 16 V 1411 (3528 Metric) 2Ohm
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HDのイーサネット フェライト・ビーズ/SMDのフェライト・ビーズEEE-HD1V470APの多層陶磁器のチップ・コンデンサ |
47 µF 35 V アルミ電解コンデンサ ラジアル、缶 - SMD 5000 時間 @ 105°C
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高い導電率の速いダイオードの多層陶磁器のチップ・コンデンサFDLL914 |
ダイオード 100 V 200mA 面実装 SOD-80
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C2012X7S2A224K085AE SMD0805のコンデンサーICのタンタルの破片の多層陶磁器の帽子 |
0.22 µF ±10% 100V セラミック コンデンサ X7S 0805 (2012 メートル法)
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CC1206KKX7RDBB102 SMDのチップ・コンデンサ1000pF ±10% 2000V X7Rシリーズ1206 |
1000 pF ±10%の2000V （2kV）陶磁器のコンデンサーX7R 1206 （メートル3216）
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無鉛終了のCC1206JKX7RDBB102 2KV SMDのチップ・コンデンサの帽子CER 1000PF X7R CC1206 |
1000 pF ±5% 2000V (2kV) セラミックコンデンサ X7R 1206 (3216 メートル法)
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ECWU2682V16 SMDのフェライト・ビーズは金属で処理されたペンのフィルムのチップ・コンデンサを積み重ねた |
6800 pF Film Capacitor 125V 250V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 1913 (4833 Metric)
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C2012X7S2A224K085AE SMD0805のコンデンサーICのタンタルの破片の多層陶磁器の帽子 |
0.22 µF ±10% 100V セラミック コンデンサ X7S 0805 (2012 メートル法)
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GRM1885C1H222JA01D 2200pF ±5%の50V陶磁器のコンデンサーC0G NP0 0603 MLCCの土台 |
2200 pF ±5%の50V陶磁器のコンデンサーC0G、NP0 0603 （メートル1608）
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0.1 Ufの陶磁器のコンデンサー、10V X5Rの陶磁器のコンデンサー0402 CL05A104KP5NNNC |
0.1のµF ±10%の10V陶磁器のコンデンサーX5R 0402 （メートル1005）
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医療機器のためのCL05A474KQ5NNNC 0.47µF ±10% 6.3V X5rの陶磁器のコンデンサー0402 |
0.47のµF ±10%の6.3V陶磁器のコンデンサーX5R 0402 （メートル1005）
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コンデンサー300mAの高圧コンデンサーを通したNFM41CC221U2A3L 220PFの供給 |
コンデンサー100V 300 mA 1806 （メートル4516）を通した220 pFの供給、3 PCのパッド
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概要のための陶磁器のコンデンサーSMDのフェライト・ビーズC1608X5R1A226MT |
22 µF ±20%の10V陶磁器のコンデンサーX5R 0603 （メートル1608）
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MH4525HM102NT SMDのフェライト・ビーズの帽子のコンデンサーの電子工学ICの破片 |
1 kΩ @ 100 MHz 1 電源ライン フェライト ビーズ 1810 (4525 メートル法) 3A 60 ミリアンペア
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GRM188F51C104ZA01D SMDのフェライト・ビーズSMDの帽子の破片ICの電子工学の整流器ダイオード |
0.1 µF -20%、+80% 16V セラミック コンデンサ Y5V (F) 0603 (1608 メートル法)
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TVカメラのCapacitory元のC5750Y5V1C107Zの陶磁器のコンデンサー |
100 µF -20%の+80%の（f） 2220 （メートル5750） 16V陶磁器のコンデンサーY5V
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GRM0335C1H8R0BA01D Ultra-small GRMのシリーズ/GRM033 （0201の破片のサイズ）イーサネット フェライト・ビーズ |
8 pF ±0.1pF 50V セラミック コンデンサ C0G、NP0 0201 (0603 メートル法)
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NFM18PS105R0J3D SMDのフェライト・ビーズのコンデンサーICの記憶抜け目がない破片 |
1 µF フィードスルーコンデンサ 6.3V 2 A 30ミリオーム 0603 (1608メートル法)、3 PCパッド
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0469005.WR SMDのフェライト・ビーズの破片のフェライト・ビーズの表面の台紙のヒューズ |
5 A AC 32 V DC ヒューズ ボードマウント (カートリッジスタイルを除く) 表面実装 1206 (3216 メートル法)
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GRM32ER61E226KE15Lの陶磁器の帽子、22µF、25V 1210のX5R SMDのフェライト・ビーズ（E-のpHEMT） GRM188R71H104KA93D |
22 µF ±10% 25V セラミック コンデンサ X5R 1210 (3225 メートル法)
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EEE-FK0J152P SMDのフェライト・ビーズのアルミニウム電気分解コンデンサー |
1500 µF 6.3 V アルミ電解コンデンサ ラジアル、缶 - SMD 2000 時間 @ 105°C
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EEE-HC1A221Pのアルミニウム電気分解コンデンサー/HCアルミニウム電気分解コンデンサー |
220 µF 10 V アルミ電解コンデンサ ラジアル、缶 - SMD 5000 時間 @ 105°C
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DLW21SN900SQ2L SMDのフェライト・ビーズSMDの帽子の破片ICの電子工学の整流器ダイオード |
2ラインコモンモードチョーク 面実装 90オーム@100MHz 330mA DCR 350ミリオーム
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TAJC476K016RNJ SMDのフェライト・ビーズ一般目的SMTの破片のタンタル シリーズ |
47 µF Molded Tantalum Capacitors 16 V 2312 (6032 Metric) 500mOhm
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EEE-FC1V221AP SMDのフェライト・ビーズ アルミニウム電気分解コンデンサーFC |
220 µF 35 V アルミ電解コンデンサ ラジアル、缶 - SMD 1000 時間 @ 105°C
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EEE-FK1V220R SMDのフェライト・ビーズ アルミニウム電気分解コンデンサーFK |
22 µF 35 V アルミ電解コンデンサ ラジアル、缶 - SMD 2000 時間 @ 105°C
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EEE-1EA101XP SMDのフェライト・ビーズのアルミニウム電気分解コンデンサー |
100 µF 25 V アルミ電解コンデンサ ラジアル、缶 - SMD 2000 時間 @ 85°C
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帽子のオリジナルのコンデンサー220uF 16V ECEV1CA221XP SMDのアルミニウム電気分解コンデンサー/V-G TVカメラ |
220のµF 16 Vのアルミニウム電気分解コンデンサーの放射状のものは、- SMD 85°C 2000 Hrsの@できる
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SMDの電気分解コンデンサーのRoHSのアルミニウム指令迎合的なEEE-FK1E471P |
470のµF 25 Vのアルミニウム電気分解コンデンサーの放射状のものは、- SMD 105°C 2000 Hrsの@できる
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EEE-FT1A102AP FTの電気分解アルミニウム電気分解コンデンサーの表面の台紙アルミニウム |
1000 µF 10 V アルミ電解コンデンサ ラジアル、缶 - SMD 80ミリオーム @ 100kHz 2000時間 @ 105°C
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EEV-FK1V101P SMDのフェライト・ビーズのアルミニウム電気分解コンデンサー/FKシリーズ |
100つのµF 35 Vのアルミニウム電気分解コンデンサーの放射状のものは、- SMD 105°C 2000 Hrsの@できる
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アルミニウム電気分解コンデンサー/TKの表面の台紙SMDのフェライト・ビーズEEE-TK1A331UP |
330 µF 10 V アルミ電解コンデンサ ラジアル、缶 - SMD 300ミリオーム @ 100kHz 3000時間 @ 125°C
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EMIFIL （誘導器タイプ）の破片のフェライト・ビーズBLM18Pシリーズ0603サイズBLM18PG121SN1D |
120オーム@ 100つのMHz 1の電力線フェライト・ビーズ0603 （メートル1608） 2A 50mOhm
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SMDのフェライト・ビーズのアルミニウムEleectrolyticのコンデンサー/Fk Eeefk1h151p |
150のµF 50 Vのアルミニウム電気分解コンデンサーの放射状のものは、- SMD 105°C 2000 Hrsの@できる
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TPS51916EVM-746完全なDDR2 DDR3のDDR3LおよびDDR4記憶力の解決の同期木びき台GRM32ER60J107ME20L |
TPS51916 D-CAP™のD-CAP2™の特別な目的DC/DCのDDRの記憶供給1の非絶縁出力評価板
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LP2983AIM5-1.0 SMDのフェライト・ビーズのマイクロパワー電圧安定器 |
リニア電圧レギュレータ IC ポジティブ 固定 1 出力 150mA SOT-23-5
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FM25V02-GTR SMDのフェライト・ビーズ256Kb連続3V F-RAMの記憶lg TV ICの価格IC la4440 |
FRAM （Ferroelectric RAM）の記憶IC 256Kbit SPI 40 MHz 8-SOIC
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EEE-FK1E101XP SMDのフェライト・ビーズの表面の台紙のアルミニウム電気分解の帽子。 |
100 µF 25 V アルミ電解コンデンサ ラジアル、缶 - SMD 2000 時間 @ 105°C
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タイプ（DC）の上のBLM21AG601SN1D SMDのフェライト・ビーズはEMIの抑制TVカメラをろ過する |
600オーム@ 100つのMHz 1のフェライト・ビーズ0805 （メートル2012） 600mA 210mOhm
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放射状の加鉛治されるの炎-抑制エポキシ ポリマー絶縁体はUL 94V-0の条件を満たす 60R090XU |
穴の放射状のもの、ディスクを通した重合体PTCの再設置可能なヒューズ60V 900 mA Ih
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SRN4018-150M SMDのフェライト・ビーズ薄型力誘導器 |
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SRN4018-150M SMDのフェライト・ビーズ薄型力誘導器 |
15 µH Semi-Shielded Drum Core, Wirewound Inductor 1 A 264mOhm Max Nonstandard
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DR73-100-Rの高い発電密度は、高性能誘導器を保護した |
10 µH Shielded Drum Core, Wirewound Inductor 2.08 A 65.6mOhm Nonstandard
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LPS3015 SMDのフェライト・ビーズLPS3015-332MRCは力誘導器を保護した |
3.3 µHは誘導器1.4を130mOhm最高の標準外保護した
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台紙SMDのフェライト・ビーズSS1H10-E3/61Tの高圧ショットキー表面の整流器 |
ダイオード100 V 1Aの表面の台紙DO-214AC （SMA）
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強化モードpHEMTの技術SMDのフェライト・ビーズ（E-のpHEMT） GRM188R71H104KA93D |
0.1のµF ±10%の50V陶磁器のコンデンサーX7R 0603 （メートル1608）
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TXD2SA-5V リレー通信 (XDSL) 3000V 接触とコイル間の断熱電圧 |
一般目的のリレーDPDT （2つの形態C）の表面の台紙
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30R250UU POLYFUSE® リセット可能なPTCs統合半導体回路板 シリコン回路板 |
重合体PTCの再設置可能なヒューズ30V 2.5穴の放射状のもの、ディスクを通したIh
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RXEF185 SMDのフェライト・ビーズのPolySwitch再設置可能な装置電子工学IC |
ポリマー PTC リセッタブル ヒューズ 72V 1.85 A Ih スルーホール ラジアル、ディスク
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CRCW2010330RJNEF SMD2010のコンデンサーICのタンタルの破片の多層陶磁器の帽子 |
330 Ohms ±5% 0.75W, 3/4W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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